1. 外延结构与器件设计

负责InP基化合物半导体外延结构设计，重点设计多量子阱（MQW）、隧道结、光栅及波导等有源/无源区结构。

运用仿真软件进行光学与电学性能建模，优化激光器（VCSEL、DFB、EML）或探测器（PD、APD）的阈值电流、斜率效率、带宽及可靠性等关键指标。

2. 研发项目管理

主导外延研发项目全流程，制定实验方案与流片计划，管控项目进度、成本与风险，确保研发节点按时达成。

组织阶段评审，撰写设计文档、测试报告及技术规范，输出标准化研发成果。

3. 工艺开发与量产转化

负责MOCVD或MBE外延工艺的开发与优化，提升片内/片间均匀性及重复性。

参与制定量产工艺标准与控制体系，主导解决量产中与材料外延相关的良率、可靠性问题，推动研发成果平稳导入产线。

4. 失效分析与技术攻关

牵头处理芯片性能异常、外延缺陷等重大技术难题，结合XRD、PL、ECV、TEM等表征手段进行系统性失效分析，提出结构或工艺迭代方案。

5. 团队领导与跨部门协同

领导外延设计及工艺团队，进行任务分配、技术指导与绩效评估，负责人才梯队建设。

与芯片工艺、封装测试、市场等部门紧密协作，确保技术方案与产品需求及生产可行性高度匹配。

6. 前沿技术规划

跟踪行业技术动态，负责新型外延结构及先进工艺平台的预研，参与制定部门中长期技术发展规划。

1. 教育背景

本科及以上学历。材料科学与工程、物理、微电子、光电子、半导体物理等相关专业。

2. 工作经验 

具有10年以上半导体外延或光芯片研发经验。具备至少一次完整的产品流片及量产导入经验，有光通信芯片（如10G/25G/100G VCSEL、DFB、EML）成功开发案例者优先。

3. 核心技术能力

工艺专长：精通MOCVD或MBE外延设备操作与工艺调试，对掺杂控制、组分均匀性、界面陡峭度等有深刻理解。

表征分析：熟练使用XRD、PL、EL、ECV、AFM等外延材料表征手段，具备独立解析数据、关联材料特性与器件性能的能力。

设计仿真：能熟练运用Crosslight、PICS3D、RSoft或Silvaco等器件仿真软件进行结构设计与性能预测。

4. 管理能力

具备5年以上技术团队或项目管理经验，能独立领导研发项目，具备出色的进度把控和风险管理意识。

优秀的跨部门沟通协调能力，能够有效对接工艺、测试及生产端。

5. 综合素质

具备较强的问题分析定位与系统性解决能力，能够主导复杂技术难题攻关。

逻辑清晰，文档撰写能力强，善于总结和沉淀技术知识。