精英简历
2025-02-24更新
卓先生
南京
曾就职领域:半导体, 新能源
候选优势
博士学历
研发经验丰富
专利发明
名校毕业
简历标签
求职方向
功率半导体设计专家
年薪70.00万元
上海市
半导体, 新能源
目前年薪:53.00万元
居住地:南京
自我介绍:
作为一名具有11年经验的电子科学与技术博士,我在功率MOSFET的设计与开发方面具备丰富的经验,能够独立承担项目并带领团队进行创新研发。
功率半导体设计专家
期望年薪:70.00万元
当前年薪:53.00万元
期望工作地:上海市
自我介绍:
作为一名具有11年经验的电子科学与技术博士,我在功率MOSFET的设计与开发方面具备丰富的经验,能够独立承担项目并带领团队进行创新研发。
教育经历
南京大学
2016-09 - 2019-12
电子科学与技术
南京大学
2016-09 - 2019-12
电子科学与技术
博士
南京工业大学
2011-09 - 2014-06
材料学
南京工业大学
2011-09 - 2014-06
材料学
硕士
江苏海洋大学
2007-09 - 2011-06
材料学
江苏海洋大学
2007-09 - 2011-06
材料学
本科
工作经历
***
研发工程师
****
研发工程师
工作描述:
*******
项目经历
***
项目描述:
*******
简历情况
完整度
100%
简历标签



