负责LTPO等新技术工艺开发，入职尚短，不做进一步阐述

职责业绩: 

一· 产品性能专项

1. 负责合肥维信诺残影专项,通过关键工艺PI/GI/注入工艺的recipe优化和电子与时序调试方案,目前LTPS产品残影水准 <4JND(@0s),LTPO产品<3.5JND(@0s),残影水准可达到国内领先;

2. 参与寿命,拖影,功耗专案,做为TFT特性窗口参与讨论并制定对应TFT改善条件;主要是针对LTPS PBTS/NBTS,DTFT SS等优化,满足专项需求;

二·负责LTPO产品对接窗口

1. 做为LTPO产品与客户对接窗口,主要客户有荣耀,华为,小米;客户项目从开案&送样&授权&量产整个过程跟进;针对客户提出的工艺,良率,设计问题检讨并回馈给客户

2. 首支LTPO产品良率提升负责人

量产初期低灰阶亮度均一性不达标,与设计/整合成为低画质改善专案组;通过量测和产线数据验证,确认二次demura优化和Vref/VSS 电压调整可优化0.4JND ,满足客户均一性要求.

LTPO业界难题,单亮点发生率高(IGZO器件因<1um particle H渗透造成导体化);通过机理分析和最终验证改善IGZO 上下界面CVD膜质,单亮点53%→12%,良率提升7% ;

三· 负责LTPO产品IGZO TFT器件可靠性和均一性改善

1. 维信诺第一支LTPO产品电性调试,参考之前工作经验和文献阅读从机理面分析可靠性,3个月IGZO PBTS和NBTIS 达到规格内(<0.7V),大板均一性Range 0.5V.

2. 为改善LTPO低频亮点,初期ILD SiNx会造成IGZO导体化;经过多次分析和验证,成功导入ILD SiNx新膜层;保证IGZO特性&良率稳定;

3. 厂内初期LTPO量产,IGZO特性波动较大;成立对应专项,改善IGZO稳定性(单片Vth±0.15V波动,单lot 0.2V内波动)

4. IGZO PBTS应华为客户新需求(改善低频),持续改善至0.4V(PBTS 10000s);IGZO L=2&2.5um特性成功开发,L=2.5um并导入产品中量产;

四· 负责产品逆向解析

1. 拆解分析竞争设产品TFT/OLED/TP 段Process flow & 膜层厚度&各膜层成分,例:S社DTFT下面导入BSM,S设GAT2用Ti/MO等;

2. GIP/AA/TP电路分析,面内设计变化等进行分析;根据逆向信息推导出对产品可以优化改善方面,并反馈给设计和工艺检讨和讨论.(例:面内设计变化对低频的改善;BSM对寿命&残影改善)

职责业绩:

一 客诉与可靠性对策专案

1. 客诉IS & Crosstalk问题优化,通过原理分析,多次DOE实验验证找到设计和制程可优化点,为后面开案的产品提供宝贵的经验.

2.良率提升: 作为良率小组组长,安排和协助组员进行问题分析,并制定相关解析SOP,提升工作效率,最终良率提升70%.

整个小组提供专利4篇,优秀案例10篇.

二.负责TFT IGZO器件开发和期间稳定优化

1.18年9月与研发成立器件专案小组,利用多次DOE实验找到器件稳定因数(IGZO和GI),电性各批次间波动0.2V,PBTS 1V以内

2.成立Array厂电性稳定专案,成功解决7个造成电性波动异常,并建立产线CTQ管控;同步建立机台EDC参数与电性匹配趋势图,可达到随时预警.

三 负责公司首支产品Design rule建立

1. 首只产品设计前,召集整合、研发、设计和工程讨论建立产品各项规格和设计准则,对风险性提前预判并改正。

2. 针对设计weak项,double check并分析讨论其原因,提出设计和制成改善意见for下只产品设计。

职责业绩: 

一· 负责Cu+ 4Mask新产品技术导入

1. CSOT首只55 寸UD Cu + COA +4Mask 产品导入量产(担任项目负责人)

1.1良率提升:水痕mura客诉且降等 ratio 10.12%→0.2%;运用DMAIC,鱼骨图分析工具,找出水痕关键影响因子。制定短期制程对策和长期对策改善.

二· 专案项目管理

1. 2017年Design rule专案管理(担任专案管理人)

通过召集整合、研发和工程三大部门有丰富经验同事合作,base之前发生issue和一些案例分析讨论,优化产品设计。建立CSOT研发设计design rule,共更新design rule 25项,其中优秀案例贡献3篇。

职责业绩:

1. 负责新产品VBA工具开发 Execl & VB语言相结合

1.1利用VBA工具快速整理需求数据(CD,TEG,I-V等),减少loading,提升工作效率。

2 负责LTPS HTS新产品技术导入

2.1 CMOS原器件搭新产品开发成功使用PS STR前doping解决hump; PS STR后doping, 分开调节NMOS/PMOS电性Vth;

3 负责新产品issue解析 & 良率提升