工作内容:
1.采用CMOS/SOI/SiGe等先进硅基工艺设计波束赋形芯片;
2.主导整体芯片的规格定义,架构的规划,模块指标分解;
3.负责芯片和高频版图的设计,负责无源电磁场仿真和整体后仿真,确保最终性能;
4.与产品,应用,测试,销售等部门对接,支持微波毫米波芯片的封装,测试,量产以及客户技术问题解决;
5.撰写设计报告、测试报告及数据手册等技术性文档。
任职要求:
1.985高校硕士以上学历,微电子、电路与系统、电子工程等专业;
2.硕士8年以上,博士5年以上工作经验,具有雷达或通信领域复杂射频芯片成功大规模量产经历;
3.熟练掌握射频集成电路设计、电磁场分析、半导体器件等基本理论;对CMOS,SOI或SiGe等主流硅基工艺的特性有深入理解;
4.具有各类芯片的实验室测试以及异常问题定位和失效分析能力,熟练操作频谱仪,信号源,矢量网络分析仪,功率计,微波探针台等仪表和设备;
5.熟悉雷达或卫通通信系统架构,掌握产品的实际应用场景;
年薪:50-80万
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3年以上
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本科及以上
工作地:南京市
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招1人
年薪:50-80万
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3年以上
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本科及以上
工作地:南京市
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招2人
年薪:80-100万
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3年以上
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硕士及以上
工作地:南京市
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招1人
年薪:100-150万
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5年以上
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硕士及以上
工作地:南京市
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招1人
年薪:80-100万
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3年以上
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硕士及以上
工作地:南京市
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招1人
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