岗位职责:1、负责DRAM阵列架构(Cell Array/Wordline/Bitline/Sense amplifier)和外围控制电路(Row/Column decoder, Sense amplifiers control)的全定制电路设计。2、负责标准化及定制化的DRAM阵列架构开发及优化。3、row/column redundancy相关电路设计4、负责Refresh & Row Hammer相关电路设计。5、负责DRAM Array DFT相关模块的设计,配合测试工程师完成进行失效分析与改进,提升产品的良率。6、配合并指导版图工程师对关键区域进行布局与优化。7、输出阵列相关的设计文档及报告。
任职要求:1、教育背景: 微电子、集成电路、电子工程、物理电子学等相关专业,硕士及以上学历。2、工作经验: 5年以上DRAM(DDR3/4, LPDDR4/5)、SRAM或其他存储器(如RRAM, MRAM等)阵列设计经验。
年薪:20-50万
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3年以上
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不限
工作地:上海市
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招1人
年薪:150-200万
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10年以上
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本科及以上
工作地:福建省
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招1人
我是猎头
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