所在部门: 汇报对象:

下属人数: 工作地点:

月 薪:

职责业绩: - GaN HEMT器件研发。英诺赛科40-150V常关型GaN器件性能,可靠性优化。

- 成熟逻辑工艺节点(65nm,40nm)TCAD仿真。根据标准工艺流程以及测试条件建立工艺仿真与器件仿真TCAD模型。根据目标器件特性进行工艺和器件模型参数校准。仿真研究器件性能优化方向。

所在部门: 汇报对象:

月 薪:

职责业绩: 博士后助理研究员

- TCAD服务器维护。Linux系统环境配置,网络配置,TCAD工具授权管理。

- TCAD仿真低维材料逻辑器件。仿真研究1/2维材料MOS器件电学特性,性能功耗优化方向。

所在部门: 汇报对象:

月 薪:

职责业绩: - FinFET器件TCAD仿真。根据实际工艺流程以及测试条件建立工艺仿真与器件仿真TCAD模型。根据实验数据进行工艺和器件模型参数校准。仿真研究器件性能优化方向。

- FinFET工艺节点STI isolation TCAD仿真。