FinFET器件（基于集成电路MOSFET基础上的产品）集成电路平台的器件性能优化
•主要负责Ring Oscillator (RO)器件的性能优化;通过分析WAT数据相关参数, 提出性能优化方案
•负责设计testkey layout和testplan,表征器件设计出现的问题
•负责与TCAD部门合作,为器件性能优化和器件设计中出现的问题提供物理模型和仿真数据验证。
•负责与工艺部门协调,通过检测实际工艺中出现的问题并给出器件优化方向。
•负责器件SPICE仿真,提供器件电性Target的SPICE仿真结果。

FinFET器件集成电路平台的TCAD仿真
•负责建立FinFET器件TCAD仿真结构的经验;对器件结构,工艺参数,及电学模型有深入了解。
•熟悉FinFET器件各种工艺条件对器件性能的影响,通过仿真结果提供器件优化方案。
•有FinFET校准经验,熟悉CMOS器件校准流程中工艺模型调整和电学模型选择及参数校准设定。
•负责对FinFET器件DC性能优化:分析WAT数据,给出结构和工艺优化方向,并提供的TCAD仿真结
果进行验证。
•熟悉FinFET工艺流程,及工艺流程对电学性能的影响。

一、基于Sentaurus的半导体器件模拟仿真及优化
1. 使用TCAD器件仿真软件Sentaurus对功率半导体器件(IGBT, power MOSFET)进行设计,建模,
仿真,优化;
2. 研发基于掺杂灵敏度函数的数值优化算法;
3. 利用掺杂灵敏度函数,实现半导体器件相关参数的优化仿真; 并使用MATLAB对优化仿真结果进行
数据分析以及验证。
二、半导体掺杂分布的仿真及优化
1. 利用有限元法以及求解偏微分方程组,对半导体器件进行建模仿真;
2. 利用鲁棒法,确立半导体掺杂浓度和分布对半导体器件特性的关系;
3. 计算掺杂灵敏度函数,使用MATLAB对仿真结果进行数据分析以及验证。
三、铁磁材料COMSOL有限元仿真