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简历详情

更新时间：2025-05-27

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                                        光电器件设计工程师                                    
                                

                                {{ direction }}
                            

                                29岁
                                /
                                男                                /
                                未婚                                /
                                硕士                                /
                                2年经验
                            

                                电话：
                                13800138000

                                  
                                邮箱：
                                abcd@163.com

曾就职领域：光电,半导体

目前居住地：无锡市

期望工作地：上海市

目前年薪：19.00万元

期望年薪： 24万元

教育经历

工作经历

项目经历

教育经历

在校时间

2020-09 至 2023-04

专业

材料与化工

就读学校

南京理工大学统招,211 硕士

在校时间

2014 至 2020

专业

材料成型及控制工程（2015-2017在部队当兵）

就读学校

安徽工程大学本科

工作经历

任职时间

                                    2020-01-01 至 2025-01-01
                                
                                    职位名称职位名称
                                
任职公司

                                    任职公司任职公司
                                
任职描述

                                    任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任职描述任;

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工作经历

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            器件设计工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述

                                            一、跳槽原因：公司组织架构调整，将人选的岗位职能进行变更，经协商离开

二、架构职能：主要做光电器件的设计

三、工作职责：

负责光电探测器的芯片结构设计及优化、光刻掩膜版绘制

负责 Ⅲ-V 族光电探测器芯片的工艺改进、性能提升

负责光电探测器芯片和组件的测试数据整理和性能分析

四、主要成就:

成功上线了 256*1 型 InGaAs 探测器 P 电极 Ni/Pt/Au 工艺,使接触电阻下降两个数量级

成功开发了锑化物探测器隔离槽硬掩模刻蚀工艺,为二维超晶格探测器国产化打下了基础

任职时间

                                            2020-01-01 至 2025-01-01
                                        
                                            刻蚀工艺工程师                                        
任职公司

                                            任职公司任职公司
                                        
任职描述

                                            一、核心职能：主要参与SJ深沟槽项目

二、工作职责：

负责电子束蒸发、干法刻蚀等o 负责工艺情况监控,有效处理 FDC ALARM 及宕机事件,及时解决 defectscase,保证生产线稳定运行。

精细化管理 SPC 图表,针对关键工序进行调机和 inline shift 原因分析,提升了产品质量和生产效率。

严谨处理异常品,确保报废流程合规,维护了生产流程的正常秩序,降低了生产成本

三、主要成就:

参与实施了国产超结深沟槽刻蚀工艺开发项目,成功实现在国产 Amec 机台上实现 Super junction deep trench 刻蚀为无锡华虹半导体节省了海外技术依赖,提升了公司的自主研发能力。