工作职责:

负责一款Ka-波段功率放大器设计(正在流片)

负责一款Ka-波段低噪声放大器设计(正在流片)

负责一款GaN HEMT器件研发(fmax=127GHz)

工作职责:

参与向江苏某微电子公司的IGBT技术转让项目,跟随日籍专家樱井建弥博士,以主研人员的身份参与IGBT芯片的研发工作,主要包括以下几个方面:

1、为江苏华创搭建数值模拟平台。

2、改良NPT-IGBT的器件特性:

2.1通过改变版图减小IGBT器件JFET效应;

2.2通过改变RIE刻蚀工艺,引入新结构,减少工艺步骤。

3、基于100um硅片厚度的薄片型FS-IGBT技术研发:

3.1开展FS技术的前期模拟工作,分析不同FS设计理念对器件造成的影响;

3.2开展FS-IGBT研发实验:包括不同减薄工艺、注入条件、推阱条件、晶圆改变、金属化对器件的影响等等,对研发的芯片进行测试和失效分析;

3.3改良减薄工艺和金属蒸发工艺,使得减薄后硅片表面为镜面、翘曲为<3mm的同时,背面金属蒸发后不出现脱落。

3.4研发100um薄片相关的技术,如键合技术,使键合后的硅片可以安全通过清洗、光刻、溅射三个工艺,这项技术同样适用于衬底转移。

参加与江苏某公司沟槽栅IGBT技术研发项目的前期准备工作:

1、开发出的改良NPT-IGBT结温比传统NPT-IGBT结温下降6℃;

2、开发出的侧墙+刻硅工艺比传统NPT-IGBT结温下降4~5℃;

3、研发出的FS-IGBT结温比较于NPT-IGBT下降20~25℃,效果明显;

4、项目结束后总结工艺包,形成改良NPT-IGBT工艺包,FS-IGBT工艺包;

5、申请专利13项,其中本人第一作者5项,目前已授权2项。

1、参加研究院新能源所《高效晶硅电池项目》的预研工作,撰写调研报告,参与立项工作。

2、作为主研人员负责《高效晶硅电池模拟项目》中晶硅电池模型的建立中的电池物理模型的建立和代码的编写。