意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）的槽栅结构低压MOSFETs STripFET™ F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流－直流（DC/DC）电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。

STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能，还简化了通道间的槽栅结构（trench-gate structure），实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量，并取得优异的品质因数（RDS(ON) x Qg）。此外，本征体二极管的恢复电荷（recovery charge）很低，有助于提高开关性能。高雪崩耐量确保在恶劣条件下保持性能稳健，反向传输电容对输入电容（Crss/Ciss）的比值低，有助于强化抗电磁干扰（EMI immunity）。

意法半导体的60V STripFET F7 MOSFET是为同步整流（synchronous rectification）电路定制，能够以更少的并联器件达到最大目标电流，以此提高功率密度、降低元器件使用数量。该系列共有12款产品，覆盖了所有工业标准电源，最大输出电流从90A到260A（在Tc=25°C下，硅限制连续漏极电流）。新产品提供多个封装选择，包括PowerFLAT™ 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、双引脚或六引脚H2PAK。

新款600V MDmesh M2 EP产品整合意法半导体经过市场检验的条形布局（strip layout）和全新改进的垂直结构和优化的扩散工艺（diffusion process），拥有接近理想的开关设计，包括超低的导通电阻和最低的关断开关损耗，是特别为甚高频功率转换器（f>150 kHz）专门设计，为要求最严格的电源供应器（PSU, Power Supply Unit）的理想选择。

硬开关和软开关电路拓扑均适用，包括谐振拓扑（resonant topologies），例如LLC谐振，新器件的开关损耗极低，特别是在低负载条件下，低损耗更为明显。除MDmesh M2产品的共性栅电荷量（Qg）极低外，M2 EP产品的关断能量（Eoff）还可降低20%，而在硬开关转换器中，关断开关损耗同样降低20%。在低电流范围内降低Eoff损耗，有助于提高低负载能效，进而帮助电源厂商顺利达到日益严格的能效认证要求。