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韩国三星电子以“超差距技术能力”称霸全球DRAM市场

发布时间:2015-11-02   来源:智乐聘  作者:鲁宁 浏览量:1970

韩国三星电子近日发布消息称,本月起,将以其最新的独立设计技术和行业唯一的20纳米工程批量生产容量和性能进一步升级的12GB LPDDR4 DRAM。移动DRAM是主要在智能手机、平板电脑等上承担存储设备功能的存储芯片。与目前的NAND闪存相比,该产品具有可以1000倍以上的高速反复对数据进行存储、删除的各种功能。  

正在全球DRAM市场上角逐第一的韩国三星电子以“超差距技术能力”称霸市场,而其武器正是同时实现目前具有最大容量和最高速度的12GB移动DRAM。

韩国三星电子此次实现商业化的12GB移动DRAM比去年12月开始批量生产的8GB DRAM增加了50%的存储容量。同时在速度上实现了提速30%以上,即4266Mbps,比最新电脑中使用的DRAM快两倍,耗电也降低了20%。这将成为在更薄更小的IT机器上实现高性能的基础。  

例如,如果将这一芯片用于日后问世的GALAXY S7或iPhone7等新一代高端智能手机上,信息处理将更快,设计方面也可以更薄更轻。即使在观看超高清(UHD)视频的同时进行各种检索、编写文档操作,也会畅通无阻。  

韩国三星电子相关人员解释称,“可以在设计和简便方面实现最佳性能,还可以增加电池的使用寿命,计划今后向超薄电脑和数字家电、车载存储芯片等以及各种物联网(IoT)等各领域扩展新产品”。  

实际上之前走上坡路的半导体行情如今也开始走下坡路了。DRAM、NAND闪存等价格跌落之势正在持续,且雪上加霜的是,预计中国的经济危机会使得半导体需求量减少。然而,有分析指出,此次12GB移动DRAM反而会巩固韩国三星电子的地位。这得益于新兴企业无法追赶的所谓“超差距技术能力”战略。  

正如此次全球首次成功实现12GB DRAM商业化一样,韩国三星电子计划增加附加价值高的、以高端基础为基础的产品所占的比重,从而实现与价格下降无关的稳定利润。即使下半年半导体市场并不乐观,预计韩国三星电子依然能够保持良好状态,而其决定性原因就在于此。NH投资证券李世哲(音)研究员称,“此次产品是现有配置最好的存储芯片”,“这是符合智能手机等逐渐高端化趋势的产品,预计将有利于提高销量”。

来源:韩国中央日报中文网

智乐聘韩国事业部编译


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