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韩国半导体设备专家[中国]
汉阳大物理学硕士，28年半导体设备研发经验。从早期晶圆成型及切割工艺研发开始。到 NAND Flash Device和MRAM Device工艺开发，Logic工艺开发，以及后来的半导体行业的战略规划，系统开发等有丰富的经验。
简历关键词：
半导体
设备及工艺
晶圆
核心优势：
日本半导体器件工艺开发专家[中国]
早稻田大学材料工学专业硕士学历。毕业后在NEC从研发到量产转移全程参与了180nm逻辑工艺的开发，负责工艺流程设计及控制；参与90nm逻辑工艺的开发，负责MOSFET(金氧半场效晶体管)性能提升和工艺优化。2003年加入索尼，负责CMOS图像传感器开发，涉及BSI技术、混合晶圆键合技术及内存堆栈技术；此外还参与40nm节点的开发，通过迁移率增强和栅极堆叠提高MOSFET性能。2018年加入日本影像设计公司（淮安），帮助建立CIS集成设备制造工厂，定义目标设备结构和工艺流程，规划1.12um像素产品。2020年加入思特威公司，在Nexchip(合肥)建立CIS流程及优化，良率品降低原因分析与解决方案，BSI技术优化等工作。拥有多个CMOS及ESD相关专利（美国，日本）及多篇论文发表。英语可作为工作语言使用，目前人在中国。
简历关键词：
索尼
工艺开发
半导体
CMOS
核心优势：
日本半导体CMOS传感器专家[中国]
筑波大学高能物理专业本科学历，65岁。1982年进入NEC公司，1997年转职索尼，配属索尼大规模集成电路设计部门，开始研发图像传感器，2008年借调至索尼台湾。2016年转职华为日本，负责成像技术，包括图像传感器和处理算法，各种传感设备和应用，显示设备开发，透镜和光学材料及结构设计，以及智能手机和消费/工业设备及产品的其他相关未来技术开发。2019年转职SK海力士，主导CMOS图像传感器和摄像头AP解决方案方面的研发工作。2022年转职长鑫存储（短期合约），以研究员身份加入设备开发项目。（包括PI、PDK、设备设计和测试）曾作为索尼大学的讲师从2007到2014年间教授系统LSI设计课程中的图像传感器与摄像机信号处理系统科目，为索尼公司培养了大批该领域优秀的工程师。英语可以作为工作语言使用，目前积极寻找中国国内企业的机会，自学中文中。
简历关键词：
索尼
SK海力士
CMOS
研发
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