早稻田大学材料工学专业硕士学历。毕业后在NEC从研发到量产转移全程参与了180nm逻辑工艺的开发,负责工艺流程设计及控制;参与90nm逻辑工艺的开发,负责MOSFET(金氧半场效晶体管)性能提升和工艺优化。2003年加入索尼,负责CMOS图像传感器开发,涉及BSI技术、混合晶圆键合技术及内存堆栈技术;此外还参与40nm节点的开发,通过迁移率增强和栅极堆叠提高MOSFET性能。2018年加入日本影像设计公司(淮安),帮助建立CIS集成设备制造工厂,定义目标设备结构和工艺流程,规划1.12um像素产品。2020年加入思特威公司,在Nexchip(合肥)建立CIS流程及优化,良率品降低原因分析与解决方案,BSI技术优化等工作。拥有多个CMOS及ESD相关专利(美国,日本)及多篇论文发表。英语可作为工作语言使用,目前人在中国。